内存颗粒制造商和内存制造商

1. 内存颗粒制造商和内存制造商

五大内存颗粒制造商：
  
 1、美国的金士顿，镁光。
  
 2、德国的英飞凌，也有译作“忆恒”的。
  
 3、韩国的三星，现代原厂条的生产者，海力士半导体。
  
 五大内存制造商：
  
 1、金士顿：
   
 作为世界第一大内存生产厂商的Kingston，其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务，赢得了众多中国消费者的心。
  
 2、利屏：
  
 利屏是进来新近崛起的一个内存新秀。
  
 3、胜创：
  
 成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业，同时也是内存模组的引领生产厂商。
  
 4、宇瞻：
  
 在内存市场，Apacer一直以来都有着较好的声誉，其SDRAM时代的WBGA封装也响彻一时，在DDR内存上也树立了良好形象。宇瞻科技隶属宏基集团，实力非常雄厚。
  
 5、金邦：
  
 金邦科技股份有限公司是世界上专业的内存模块制造商之一。

2. 内存颗粒制造商和内存制造商

全球前五的内存颗生产作商
三星电子（SAMSUNG）、海力士、美光（Micron）英飞凌（Infineon）尔必达（Elpida）
内存制作商：·金士顿·海盗船·威刚·现代·金泰克·KINGMAX·黑金刚·金邦·三星·宇瞻·金士泰·创见·PNY
还有其他的OCZ，
芝奇，的都比较有名
我以上提到的5大颗粒厂商，都是内存厂商最常用的了，

3. 内存颗粒要纠结吗？

4. 生产内存颗粒的厂商有哪几家?

三星，海力士，力晶，华邦，奇梦达。
韩国的三星内存颗粒可能当下最多产能的，标识也比较明显分为两种。一种是直接带有samsung标志，另外一种则是sec英文开头。海力士与前生的现代颗粒合二为一，hynix标志为现代，S K hynix标志为现在的海力士。
力晶，中国台湾内存颗粒生产厂商，其简称为PSC，标志明显。与南亚、茂矽并称台湾内存制造业三巨头。华邦也是台湾著名的内存芯片生产商，内存芯片标志为Winbond。奇梦达是英飞凌科技公司旗下，总部位于德国慕尼黑，德国最大的半导体产品制造商。事后我国的浪潮集团收购。

生产内存颗粒注意事项
通常内存颗粒里面都有无数电路单元，因此很容易产生不良品（Low yield），如果把颗粒打散混杂生产，那么隐患就不可避免了，有些不正规生产商就会选择这样未经过检测程序的半成品晶圆进行封装加工为内存模组，这样生产出来的内存颗粒，品质是毫无保障的。
而品牌内存芯片出厂必须严格经过前工序、后工序和检测工序三个阶段。前工序将高纯度硅晶片切割为晶圆芯片（die），进行简单的EDS测试完成基本功能测试；后工序对晶片做I/O设置和保护；检测工序对芯片所有电性参数进行全面测试，这一工序最重要时间也最长，大约需要将近1000秒。

5. 哪个牌子的内存条在用国产颗粒？

1、有很多品牌使用了国产的长鑫内存颗粒，如光威、金泰克、玖合、金百达、精亿、朗科、七彩虹等等（主要是杂牌使用的比较多）。
2、长鑫的内存颗粒的性能也不错，在稳定性方面还是可以的，许多低端品牌、杂牌使用长鑫颗粒说明国产内存颗粒拉低了内存的价格，对于我们普通消费者来说还是很友好的。

6. 内存颗粒是什么

内存颗粒是内存条重要的组成部分，内存颗粒将直接关系到内存容量的大小和内存体制的好坏。因此，一个好的内存必须有良好的内存颗粒作保证。同时不同厂商生产的内存颗粒体制、性能都存在一定的差异，一般常见的内存颗粒厂商有镁光、英飞凌、三星、现代、南亚、茂矽等。
含义解释　　例：samsungk4h280838b-tcb0
　　以上的代码的主要含义：
　　第1位芯片功能k，代表是内存芯片。
　　第2位芯片类型4，代表dram。
　　第3位芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
　　第4、5位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量;28、27、2a代表128mbit的容量;56、55、57、5a代表256mbit的容量;51代表512mbit的容量。
　　第6、7位数据线引脚个数，08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
　　第14、15位芯片的速率，如60为6ns;70为7ns;7b为7.5ns(cl=3);7c为7.5ns(cl=2);80为8ns;10为10ns(66mhz)。

7. 内存颗粒是干什么用的

内存是电脑必不可少的部件，也是影响电脑性能的关键部件。而对于内存颗粒，则是内存条上必不可少的一部分，同时也与内存的性能息息相关。一条完整的内存条是由PCB板、SPD芯片和内存颗粒构成的，其中以颗粒最为重要，内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。而正因为颗粒的重要性，颗粒也成为了不少奸商造假的地方所在。因此，我们有必要对内存颗粒进行一个完整的认识，从而更好的选购内存。

上图HY内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43

　　这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：

·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。

·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)

·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)

·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。

·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。

·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。

·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度

8. 内存颗粒作用？

内存颗粒是用来组成内存条的重要部分的。
"内存颗粒"，是港台地区对内存芯片的一种称呼(仅对内存)，其他的芯片，港台则称为"晶片"，两者的意思是一样的
内存颗粒直接关系到内存容量的大小和内存体制的好坏。一个好的内存必须有良好的内存颗粒作保证。同时不同厂商生产的内存颗粒体制、性能都存在一定的差异，一般常见的内存颗粒厂商有镁光、英飞凌、三星、现代、南亚、茂矽等。