igbt模块的发展历史

1. igbt模块的发展历史

1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来，通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通(NPT)结构，继而变化成弱穿通(LPT)结构，这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变类似的改善。这次从穿通(PT)型技术先进到非穿通(NPT)型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通(PT)技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”(SPT)或“电场截止”(FS)型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。1996年，CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通(LPT)芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。包括一种“反向阻断型”(逆阻型)功能或一种“反向导通型”(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。大电流高电压的IGBT已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，已制造出集成化的IGBT专用驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。

2. igbt模块的简介

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。　IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

3. igbt模块的介绍

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

4. igbt国内龙头企业有哪些？

1、斯达半导
嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。
股票简称：斯达半导，代码：603290。公司总部设于浙江嘉兴，占地106亩，在浙江、上海和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲设有研发中心，是目前国内IGBT领域的领军企业。

2、陆芯科技
上海陆芯电子科技有限公司是一家专注于最新一代功率半导体器件的高科技公司。公司经过不断努力，成功通过 ISO9001：2015质量管理体系认证，拥有自主知识产权和品牌。陆芯公司目前累计拥有17项自主创新专利。 
2019年获得上海市第一批国家级高新技术企业荣誉资质，陆芯聚焦于功率半导体（IGBT、SJMOS & SiC）的设计和应用，掌握创新型功率半导体核心技术。

3、台基股份
湖北台基半导体股份有限公司是深交所创业板上市公司（股票简称：台基股份；股票代码：300046），现注册资本为14208万元。
主要产品有：大功率晶闸管（KK系列、KP系列、KS系列等，直径范围:0.5-5英寸，电流范围200A-4000A，电压范围400V-7200V）；
大功率半导体模块（MTC系列、MFC系列、MDS系列、MTG系列等，电流范围:26A-1500A，电压范围:400V-4500V）；功率半导体组件；电力半导体用散热器等。

4、扬杰科技
扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、功率模块、碳化硅等，为客户提供一揽子产品解决方案。

5、英搏尔
珠海英搏尔电气股份有限公司是一家专注新能源汽车动力系统研发、生产的领军企业。公司成立于2005年1月14日，于2017年在深交所创业板上市，股票代码：300681。
公司主营产品为新能源汽车动力总成、电源总成以及驱动电机、电机控制器、车载充电机、DC-DC转换器，电子油门踏板等新能源汽车零部件。

以上内容参考：嘉兴斯达半导体股份有限公司-关于我们
以上内容参考：上海陆芯电子科技有限公司-关于我们
以上内容参考：湖北台基半导体股份有限公司-关于我们
以上内容参考：扬州扬杰电子科技股份有限公司-公司简介
以上内容参考：英搏尔-公司介绍

5. 什么是IGBT模块

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6. igbt核心龙头是哪些股票

斯塔尔的半指南:2月25日，斯达半导体(603290)股价5天内上涨11.19%。今年以来，涨幅已下降-5.45%，上涨1.83%，最新报353.34元/股。斯达半导体的主要业务是设计、开发和生产总部位于IGBT的功率半导体芯片和模块，其对外销售以IGBT模块的形式实现。IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片。公司自主研发的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。公司生产的汽车级IGBT模块搭载了20多个终端汽车品牌，共计超过16万辆新能源汽车。同时，公司在车载空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车中的半导体器件份额持续提升。其他IGBT概念股还有汇川科技、杨洁科技、明嘉汇、厉安德装备、华电微电子、国电南瑞、时代电气等。扩展信息:股票是股份公司所有权的一部分，也是签发的所有权凭证。它是股份公司为筹集资金和取得股息、红利而向各股东发行的作为持股凭证的一种有价证券。它是资本市场上的一种长期信用工具，可以转让和交易。有了它，股东可以分享公司的利润，但也要承担公司经营失误带来的风险。每股代表股东对企业基本单位的所有权。每个上市公司都会发行股票。同一类别的每一股所代表的公司所有权是平等的。每个股东拥有的公司所有权份额取决于每个股东持有的股份数占公司总股本的比例。它是股份公司资本的组成部分，可以转让和交易。它是资本市场上主要的长期信用工具，但不能要求公司返还其出资。大多数股票的交易时间是:交易时间为4小时，分为两个时段:周一至周五，上午9:30至11:30，下午13:00至15:00。上午9点15分起，投资者可以下单，委托价格限定为前一个交易日收盘价的±10%，即当日涨跌幅限制之间。9:25之前委托的订单在上午9:25进行撮合，得到的价格就是所谓的“开盘价”。9:25-9:30之间委托的订单，要到9:30才能处理。如果您委托的价格不能在当前交易日成交，您必须每隔一个交易日重新下单。休息日:周六、周日及上证所公布的休息日不交易。(一般是五一、国庆、春节、元旦、清明节、端午节、中秋节等国家法定节假日)交易成本买卖股票都需要佣金(手续费)，由各券商自行设定(最高为成交金额的千分之三，最低不限，越低越好)。一般佣金是交易额的0.05%。佣金不足的，按5元收取5元。卖出股票时的印花税:成交金额的千分之一(以前是3‰，2008年下调印花税，单边收取千分之一)。2015年8月1日起，对深沪两市股票买卖按成交金额的0.02‰收取过户费。以上费用，不足1分钱的，四舍五入。还有一项很少发生的支出:大宗利息返还给本金。相当于投资者把钱交给券商，券商会在一定时间内把一定的活期利息返还给投资者。

7. igbt核心龙头是哪些股票

斯塔尔的半指南:2月25日，斯达半导体(603290)股价5天内上涨11.19%。今年以来，涨幅已下降-5.45%，上涨1.83%，最新报353.34元/股。斯达半导体的主要业务是设计、开发和生产总部位于IGBT的功率半导体芯片和模块，其对外销售以IGBT模块的形式实现。IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片。公司自主研发的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。公司生产的汽车级IGBT模块搭载了20多个终端汽车品牌，共计超过16万辆新能源汽车。同时，公司在车载空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车中的半导体器件份额持续提升。其他IGBT概念股还有汇川科技、杨洁科技、明嘉汇、厉安德装备、华电微电子、国电南瑞、时代电气等。扩展信息:股票是股份公司所有权的一部分，也是签发的所有权凭证。它是股份公司为筹集资金和取得股息、红利而向各股东发行的作为持股凭证的一种有价证券。它是资本市场上的一种长期信用工具，可以转让和交易。有了它，股东可以分享公司的利润，但也要承担公司经营失误带来的风险。每股代表股东对企业基本单位的所有权。每个上市公司都会发行股票。同一类别的每一股所代表的公司所有权是平等的。每个股东拥有的公司所有权份额取决于每个股东持有的股份数占公司总股本的比例。它是股份公司资本的组成部分，可以转让和交易。它是资本市场上主要的长期信用工具，但不能要求公司返还其出资。大多数股票的交易时间是:交易时间为4小时，分为两个时段:周一至周五，上午9:30至11:30，下午13:00至15:00。上午9点15分起，投资者可以下单，委托价格限定为前一个交易日收盘价的±10%，即当日涨跌幅限制之间。9:25之前委托的订单在上午9:25进行撮合，得到的价格就是所谓的“开盘价”。9:25-9:30之间委托的订单，要到9:30才能处理。如果您委托的价格不能在当前交易日成交，您必须每隔一个交易日重新下单。休息日:周六、周日及上证所公布的休息日不交易。(一般是五一、国庆、春节、元旦、清明节、端午节、中秋节等国家法定节假日)交易成本买卖股票都需要佣金(手续费)，由各券商自行设定(最高为成交金额的千分之三，最低不限，越低越好)。一般佣金是交易额的0.05%。佣金不足的，按5元收取5元。卖出股票时的印花税:成交金额的千分之一(以前是3‰，2008年下调印花税，单边收取千分之一)。2015年8月1日起，对深沪两市股票买卖按成交金额的0.02‰收取过户费。以上费用，不足1分钱的，四舍五入。还有一项很少发生的支出:大宗利息返还给本金。相当于投资者把钱交给券商，券商会在一定时间内把一定的活期利息返还给投资者。

8. igbt国内龙头企业有哪些？

1、斯达半导
嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业【摘要】
igbt国内龙头企业有哪些？【提问】
1、斯达半导
嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业【回答】
2、陆芯科技
上海陆芯电子科技有限公司是一家专注于最新一代功率半导体器件的高科技公司。公司经过不断努力，成功通过 ISO9001：2015质量管理体系认证，拥有自主知识产权和品牌。陆芯公司目前累计拥有17项自主创新专利。
2019年获得上海市第一批国家级高新技术企业荣誉资质，陆芯聚焦于功率半导体（IGBT、SJMOS & SiC）的设计和应用，掌握创新型功率半导体核心技术。【回答】